CSD85301Q2

功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

制造商:texas instruments

系列:NexFET??

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平栅极,5V 驱动

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):27 毫欧 @ 5A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):469pF @ 10V

功率 - 最大值:2.3W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:6-WSON(2x2)

标准包装:1

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